北京大学刘开辉、韩国蔚山基础科学研究院丁峰、复旦大学吴施伟、北京理工大学赵芸以及华南师范大学徐小志课题组合作，报道了2 in（英寸）单层单晶WS₂在a面蓝宝石衬底上成功的外延生长。深入的表征和理论计算表明，外延生长是由双耦合诱导机制驱动的，其中蓝宝石平面-WS₂相互作用导致WS₂晶体的两个择优反平行取向，蓝宝石台阶边缘-WS₂相互作用打破了反平行取向的对称性。这两种相互作用导致几乎所有WS₂晶畴的单向排列。通过多尺度表征技术说明了WS₂晶畴的单向对齐和无缝拼接；WS₂单层的高质量通过光致发光旋光选择性~55%证明，与剥离的WS₂薄片相当。本工作的发现提供了在绝缘体上制备多种二维材料的晶圆级单晶的机会，为在集成器件中的应用铺平了道路。相关论文以题为“Dual-coupling-guided epitaxial growth of wafer-scale single-crystal WS2 monolayer on vicinal a-plane sapphire”发表在 nature nanotechnology上。