北京高压科学研究中心张衡中（通讯作者）等人利用多种原位高压实验技术和理论计算，研究了该新型层状化合物CuP₂Se在高压下的结构演变以及光学和电学等性质的变化。他们发现，CuP2Se在高压下有两个同构相变（在约10和20 GPa下）和一个范德华相到高配位数相的转变（在35-40 GPa间）。这些相变，导致了一个由半导体到金属体的转变(在室温和约20 GPa下)，以及一个由金属体到超导体的转变（在3.3-5.7 K之间和 27.0- 61.4 GPa下）。经过BCS理论模型化分析，他们发现，超导临界温度随压力的升高，主要归因于高压下体弹模量和费米能处的电子态密度随压力的提高。相关成果以“Metallization and Superconductivity in the van der Waals Compound CuP2Se through Pressure-Tuning of the Interlayer Coupling”为题发表在Journal of the American Chemical Society上。