为了解决形状记忆材料应力编辑和形状回复相互干扰的问题，同时为了提高材料应力编辑的时空分辨率，化学系许华平教授课题组通过向形状记忆聚合物中引入光响应的二硒键，成功地实现了材料在无约束状态下的三维形状光编程。清华大学许华平课题组利用光强在材料中的衰减过程和二硒键对不同光强的响应性差异，成功地在材料厚度方向上制备形成了应力梯度，通过对该梯度应力进一步热激活可以引发材料的不对称收缩，从而完成整个材料的面外弯曲过程。该工作通过将光响应的二硒键引入形状记忆聚合物中，实现了在无外力约束条件下的材料三维形状光编程，提高了应力编辑的时空分辨率，因此为形状编程材料的设计和制备提供了新思路。以上相关成果发表在《先进材料》（Advanced Materials）。清华大学化学系直博生刘诚和谭以正为共同第一作者，新加坡南洋理工大学姬少博博士和清华大学化学系许华平教授为共同通讯作者。