非易失性相变存储器已经成功商业化，但进一步的密度扩展到10纳米以下需要组成和结构均匀的材料，用于存储器单元和相关的垂直堆叠的双端接入开关。选择开关多为非晶态氧化离子阈值开关（OTSs），在非晶态阈值电压以上具有非线性电流响应。然而，它们目前受到由所使用的四元或更多种硫属元素化物组合物引入的化学复杂性的影响。鉴于此，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠教授和朱敏研究员提出了一种单元素碲 (Te) 易失性开关，具有大（≥11兆安/cm²）驱动电流密度，~10³ ON/OFF电流比，并且比20纳秒的开关速度更快。低OFF电流是由于在Te-电极界面上存在一个~0.95电子伏特肖特基势垒，而纯Te的瞬态、电压脉冲诱导的晶体-液体熔化转变则导致一个高ON电流，发现的一个单元件开关可能有助于实现更密集的存储芯片。纯Te挥发性开关的潜在机制本质上不同于基于硫属化物的非挥发性PCM，后者取决于非晶到结晶的相变。在元素Te电极界面处形成的大肖特基势垒能够实现开关单元所需的低漏电流，而这在元素Sb非易失性存储器件中是不存在的。Te开关本质上的同质成分和BEOL兼容性不仅减少了耗时的材料优化过程，而且还可以将尺寸缩小到10纳米以下，以实现具有最高密度的3D存储芯片。相关研究成果以“Elemental electrical switch enabling phase segregation–free operation”为题在线发表在Science。