分数陈绝缘体（FCI）是分数量子霍尔态的晶格类似物，它可能为操纵非交换激发提供了一种新的途径。早期的理论研究预测了它们存在于具有平坦陈带的系统中，并强调了特定量子几何的关键作用。然而，仅在与六方氮化硼（hBN）对齐的伯纳尔堆叠双层石墨烯（BLG）中观察到FCI状态，其中非常大的磁场是陈带的存在的原因，阻止了在零场下实现FCI。相比之下，魔角扭曲BLG在零磁场支持平陈带，因此提供了一条稳定零场FCI的有希望的途径。鉴于此，哈佛大学物理系Amir Yacoby和Yonglong Xie，联合麻省理工学院Pablo Jarillo-Herrero教授报告了通过高分辨率局部压缩率测量实现的魔角扭曲BLG，其在低磁场下观察到的八个FCI状态。这些状态中的第一个在5 T时出现，它们的出现伴随着附近拓扑微不足道的电荷密度波状态的同时消失。同时，证明了与BLG/hBN平台的情况不同，弱磁场的主要作用仅仅是重新分配原生陈带的Berry曲率，从而实现有利于FCI 出现的量子几何。研究结果强烈表明FCI可以在零磁场下实现，并为探索和操纵平坦莫尔陈带中的任意子激发铺平道路。相关研究成果以“Fractional Chern insulators in magic-angle twisted bilayer graphene”为题在线发表在Nature。