应用场景：二维半导体基集成电路

关键性能：器件兼具高良率（> 96%）、高性能（平均迁移率~70 cm2 · V-1 · s-1）以及均匀的阈值电压分布（0.96 ± 0.4 V）。当操作电压在降低到0.5 V以下时，反相器依然具备大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1

标签属性：集成电路

应用场景：低功耗电子设备的电源和电池替换

关键性能：具有2.8 cm2的更大活性面积的器件在大范围环境光强度下表现出28.4%至30.2%的PCE以及高稳定性

标签属性：染料敏化电池

应用场景：晶体管

关键性能：能够实现0.2 V超低工作电压，0.0124 pW/μm的超低功耗和2 Mrad的抗辐照能力

标签属性：半导体器件 碳纳米管薄膜晶体管 纸基电子技术

应用场景：集成电路

关键性能：光照条件下电流状态实现了由全关态向整流态的转换，进而构筑出首例无需选通器件的光电存储阵列

标签属性：二极管

应用场景：液流电池

关键性能：对能源和电力成本约为 2.5 美元/千瓦时和 1600 美元/千瓦时

标签属性：液流电池 低功耗

应用场景：开发高介电常数材料

关键性能：表现出理想的亚一纳米级CET，具有低漏电流

标签属性：二维半导体 晶体管 钙钛矿

应用场景：人脸检测

关键性能：实现了一个两层感知器以对10000个修改后的美国国家标准与技术研究院数字进行分类，准确度为93.23%

标签属性：神经网络