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利用栅压调控激子向三子的转化延长单层碲化钼的能谷极化寿命
应用场景：集成谷电子器件
关键性能：首次将单层MoTe2中的谷极化寿命从皮秒量级提升至纳秒量级
标签属性：集成谷电子器件 能谷
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