应用场景：二维半导体基集成电路

关键性能：器件兼具高良率（> 96%）、高性能（平均迁移率~70 cm2 · V-1 · s-1）以及均匀的阈值电压分布（0.96 ± 0.4 V）。当操作电压在降低到0.5 V以下时，反相器依然具备大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1

标签属性：集成电路

应用场景：边缘智能的高能效、自适应的仿生视觉系统

关键性能：提高了系统的泛化能力和不同环境下的稳定性，并保留了储池计算硬件友好、网络轻量化、训练成本低等特点

标签属性：仿生

应用场景：印刷二维材料电子器件

关键性能：用商用石墨烯作为电极，制备的晶体管在室温下显示出超过了此前印刷MoS2薄膜晶体管的性能

标签属性：印刷 薄膜

应用场景：半导体器件

关键性能：借助MoS2与Au(111)完美的晶格匹配和较强的界面相互作用，实现了单一取向单层MoS2条带的可控制备

标签属性：半导体器件 MoS2单晶薄膜

应用场景：二维半导体材料

关键性能：所外延的多层二硫化钼具有极高的晶体学质量和优异的电学性质

标签属性：二维半导体材料 二硫化钼

应用场景：堆叠二维材料

关键性能：可在无需扭曲角或者摩尔畴的前提下进行对称打破和层间滑动，最终获得铁电/压电性能

标签属性：堆叠二维材料 铁电/压电性能

应用场景：过渡金属硫化物

关键性能：迁移率可达122.6 cm2·V−1·s−1，短沟道FET开态电流可达1.27 mA·μm−1

标签属性：二硫化钼 MoS2器件

应用场景：电催化析氢

关键性能：增强Mo原子的吸附氢能力，进而提高该催化剂的催化析氢性能

标签属性：缺陷工程 电催化析氢 二硫化钼

应用场景：Micro-LED显示屏

关键性能：无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT

标签属性：Micro-LED显示屏 微LED芯片

应用场景：量子光学

关键性能：高质量双层石墨烯，具有本征和可调带隙，原位实验直接观测到了可调谐谷选择量子霍尔效应VSHE，其中反转对称性以及电子几何相位，可由平面外电场控制。用圆偏振中红外光照射，并证实观察到的霍尔电压是，由光诱导谷群产生的。与二硫化钼MoS2相比，这一研究发现谷选择量子霍尔效应VSHE的数量级更大，这归因于Berry曲率与带隙的反标度。通过监测谷选择霍尔电导率，研究了Berry曲率随带隙的演化。谷选择量子霍尔效应VSHE的这种原位实验操作，为拓扑和量子几何光电器件铺平了道路，例如更强大的量子开关和探测器。

标签属性：石墨烯

应用场景：晶体管

关键性能：实现了栅极长度为0.34 nm的侧壁晶体管，这也是迄今为止最小的栅极长度晶体管；开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117 mV dec-1。

标签属性：半导体

应用场景：二维半导体材料

关键性能：不需要外部的载流子注入，不需要金半接触，也不需要对单层二维半导体材料进行额外的掺杂或载流子调控

标签属性：半导体

应用场景：钠离子电池

关键性能：组装的MoS1.5Te0.5@C||EG双离子电池在1 A g−1下的工作电压约为3.1 V

标签属性：钠离子电池

应用场景：铁电、光电

关键性能：用压电力显微镜观察到了莫尔(moiré )铁电畴和电场诱导的畴壁运动，可以制备近似平行堆积的双层膜

标签属性：铁电

应用场景：光催化治理受污染水体

关键性能：有效提高了电子-空穴对的分离，延长了光生载流子的响应时间

标签属性：催化

应用场景：Li-S电池

关键性能：Li-S电池可以延长循环寿命(在3.0 C下有250个稳定循环)，提高了4.0 C的倍率响应，使用高硫负载正极的放电容量最多提高4倍

标签属性：电池

应用场景：光催化杀菌

关键性能：对大肠杆菌表现出较高的光催化杀菌效率（99.99%），比P掺杂g-C3N4 (44.73%)和P掺杂MoS2 (61.69%)的杀菌率显著提高

标签属性：光催化

应用场景：无线通讯

关键性能：在不加偏压的情况下改变谐振器的谐振频率

标签属性：谐振器

应用场景：能量存储和催化方面

关键性能：优异的倍率容量和超长循环能力，可在8000次循环中具有低衰减率

标签属性：催化 薄膜

应用场景：异质结界面结构-性能关系

关键性能：建立了局部微观结构与物理特性的关系

标签属性：二维异质结