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99%的均匀成核制备了厘米级二硫化钼薄膜
应用场景:过渡金属硫化物
关键性能:迁移率可达122.6 cm2·V−1·s−1,短沟道FET开态电流可达1.27 mA·μm−1
标签属性:二硫化钼
MoS2器件
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