据中科院官网报导，周小春团队与武汉大学教授邓鹤翔团队合作，首次基于原位暗场显微镜平台、结合超分辨技术揭示了MOF单晶生长的决定因素。研究采用实验室自主搭建的暗场显微镜平台，原位观察五种典型的不同维度MOF晶体从小到大的生长过程。研究运用超分辨技术（super-resolution, super-line）追踪晶体边界延伸过程，获得显微镜视野下每颗晶体的生长曲线。研究利用自制的流动池（Flow cell）调控晶体生长条件如反应物浓度和生长温度，首次获得MOF晶体生长时金属离子与有机配体的反应级数和活化能等动力学信息。不同的MOF体系具有不同的反应级数，且与对应MOF的分子式不一致，意味着反应物在形成生长单元的过程中是多步骤的反应。科研人员基于统计获得的反应级数准确值探究晶体生长可能的机理，提出MOF-2体系中次级单元组装和碎片化的生长机制。此外，交替改变生长溶液和溶剂对所获晶体生长曲线分析发现，晶体生长存在可逆的过渡层，且过渡层的厚度仅与晶体生长尺寸有关。相关研究成果以Determining factors in the growth of MOF single crystals unveiled by in situ interface imaging为题，发表在Chem上。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。