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单晶阵列的高分率图案化
JuF     2021-10-22 微信扫码分享 登录后可收藏  
应用场景:
场效应晶体管
关键性能:
集成化的场效应晶体管的分辨率为310 dpi,迁移率为4.44 cm2 V−1 s−1
产品介绍:

基于溶液法制备的有机半导体材料的低成本、高性能电子器件的追求,推动着有机半导体单晶(OSSCs))的图案化的有效方法的发展。然而,流体的不稳定性以及复杂的蒸发过程限制了高分辨率OSSCs的图案化。为此,苏州大学揭建胜教授课题组提出一种无溶剂图案化的方法,即毛细管效应力驱动分子流动,实现亚微米分辨率和高精确度的高度有序的C8-BTBT单晶图案。C8-BTBT单晶阵列的位置、图案形状和分辨率可通过光刻技术预先确定。通过这种方法,本研究展现了一个由169个有机场效应晶体管组成的高度集成电路,其分辨率为310 dpi。该有机场效应晶体管具有优良的场效应特性,迁移率为4.44 cm2 V−1 s−1。本研究提出的图案化技术使得发展高迁移率OSSCs在集成器件中的应用向前迈进了一步。相关研究成果以“High-resolution patterning of organic semiconductor single crystal arrays for high-integration organic field-effect transistors”为题发表在Materials Today上。


产品来源:
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