应用场景：二维半导体基集成电路

关键性能：器件兼具高良率（> 96%）、高性能（平均迁移率~70 cm2 · V-1 · s-1）以及均匀的阈值电压分布（0.96 ± 0.4 V）。当操作电压在降低到0.5 V以下时，反相器依然具备大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1

标签属性：集成电路

应用场景：二维半导体材料

关键性能：所外延的多层二硫化钼具有极高的晶体学质量和优异的电学性质

标签属性：二维半导体材料 二硫化钼

应用场景：电子、光电子器件

关键性能：极大地提高了二硫化钼晶体管的室温载流子迁移率

标签属性：光电子器件 二维半导体材料 晶体管器件

应用场景：集成电路

关键性能：光照条件下电流状态实现了由全关态向整流态的转换，进而构筑出首例无需选通器件的光电存储阵列

标签属性：二极管

应用场景：开发高介电常数材料

关键性能：表现出理想的亚一纳米级CET，具有低漏电流

标签属性：二维半导体 晶体管 钙钛矿

应用场景：过渡金属硫化物

关键性能：迁移率可达122.6 cm2·V−1·s−1，短沟道FET开态电流可达1.27 mA·μm−1

标签属性：二硫化钼 MoS2器件

应用场景：电催化析氢

关键性能：增强Mo原子的吸附氢能力，进而提高该催化剂的催化析氢性能

标签属性：缺陷工程 电催化析氢 二硫化钼

应用场景：Micro-LED显示屏

关键性能：无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT

标签属性：Micro-LED显示屏 微LED芯片

应用场景：量子光学

关键性能：高质量双层石墨烯，具有本征和可调带隙，原位实验直接观测到了可调谐谷选择量子霍尔效应VSHE，其中反转对称性以及电子几何相位，可由平面外电场控制。用圆偏振中红外光照射，并证实观察到的霍尔电压是，由光诱导谷群产生的。与二硫化钼MoS2相比，这一研究发现谷选择量子霍尔效应VSHE的数量级更大，这归因于Berry曲率与带隙的反标度。通过监测谷选择霍尔电导率，研究了Berry曲率随带隙的演化。谷选择量子霍尔效应VSHE的这种原位实验操作，为拓扑和量子几何光电器件铺平了道路，例如更强大的量子开关和探测器。

标签属性：石墨烯

应用场景：晶体管

关键性能：实现了栅极长度为0.34 nm的侧壁晶体管，这也是迄今为止最小的栅极长度晶体管；开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117 mV dec-1。

标签属性：半导体

应用场景：光催化治理受污染水体

关键性能：有效提高了电子-空穴对的分离，延长了光生载流子的响应时间

标签属性：催化

应用场景：超级电容器

关键性能：Fe3O4@CNB-2表现出高的重量比电容（466 F g−1）和体积比电容（624 F cm−3）

标签属性：纳米复合结构 超级电容器

应用场景：无线通讯

关键性能：在不加偏压的情况下改变谐振器的谐振频率

标签属性：谐振器

应用场景：能量存储和催化方面

关键性能：优异的倍率容量和超长循环能力，可在8000次循环中具有低衰减率

标签属性：催化 薄膜

应用场景：光伏

关键性能：基于二硫化钼的体光伏系数比大多数非中心对称材料高几个数量级

标签属性：二维材料

应用场景：半导体

关键性能：建立了MoS2在蓝宝石c面上的台阶边缘成核机制

标签属性：薄膜 MoS2

应用场景：光电探测

关键性能：该晶体管展现出超高响应度（＞105 A/W）、超高外量子效率（＞107 %）、在二维材料光电探测器中最高的探测度（9.8×1016 Jones）和超快光电响应速度（约100 μs）

标签属性：晶体管

应用场景：二维材料制备

关键性能：可以实现大尺寸、超薄、高质量二维材料的规模化制备

标签属性：二维材料

应用场景：结构建模

关键性能：CIF文件

标签属性：cif