应用场景：二维半导体基集成电路

关键性能：器件兼具高良率（> 96%）、高性能（平均迁移率~70 cm2 · V-1 · s-1）以及均匀的阈值电压分布（0.96 ± 0.4 V）。当操作电压在降低到0.5 V以下时，反相器依然具备大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1

标签属性：集成电路

应用场景：印刷二维材料电子器件

关键性能：用商用石墨烯作为电极，制备的晶体管在室温下显示出超过了此前印刷MoS2薄膜晶体管的性能

标签属性：印刷 薄膜

应用场景：晶体管

关键性能：能够实现0.2 V超低工作电压，0.0124 pW/μm的超低功耗和2 Mrad的抗辐照能力

标签属性：半导体器件 碳纳米管薄膜晶体管 纸基电子技术

应用场景：有机薄膜晶体管

关键性能：p沟道晶体管的on/off比可以达到4×109，亚阈值波动可达70 mV/devade，n沟道晶体管的on/off比可以达到108，亚阈值波动可达80 mV/decade

标签属性：柔性电子 TFTs 有机薄膜晶体管

应用场景：Micro-LED显示屏

关键性能：无需额外的复杂工艺即可制造用于高分辨率micro-LED显示器的背板TFT

标签属性：Micro-LED显示屏 微LED芯片

应用场景：半导体

关键性能：可实现分辨率高达0.5 μm的环境可加工光图案

标签属性：柔性电子

应用场景：集成电路 红外光探测器 量子光源

关键性能：得到了单手性纯度为92.3%的(10,8) 碳管和95.6%的(12,5) 碳管

标签属性：碳纳米管

应用场景：晶体管 光电子

关键性能：制备的微米级沟道薄膜晶体管开关比为106，迁移率达到61 cm2·V-1·s-1

标签属性：碳纳米管

应用场景：晶体管

关键性能：在65 μm线宽下，晶体管的开关比达到400左右

标签属性：薄膜晶体管