应用场景：二维半导体基集成电路

关键性能：器件兼具高良率（> 96%）、高性能（平均迁移率~70 cm2 · V-1 · s-1）以及均匀的阈值电压分布（0.96 ± 0.4 V）。当操作电压在降低到0.5 V以下时，反相器依然具备大噪音容限和高增益、器件单元功耗低至10.3 pW·μm-1

标签属性：集成电路

应用场景：二维半导体材料

关键性能：所外延的多层二硫化钼具有极高的晶体学质量和优异的电学性质

标签属性：二维半导体材料 二硫化钼

应用场景：电子、光电子器件

关键性能：极大地提高了二硫化钼晶体管的室温载流子迁移率

标签属性：光电子器件 二维半导体材料 晶体管器件

应用场景：光探测

关键性能：在405 nm光照下表现出优异的光探测性能

标签属性：光电器件 边缘工程

应用场景：柔性电子皮肤

关键性能：空穴载流子迁移率、电流开关比Ion/Ioff和亚阈值摆幅（SS）分别为~70 cm2 V−1 s−1，>105和134-277 mV/dec

标签属性：柔性电子

应用场景：晶体管 光电子

关键性能：制备的微米级沟道薄膜晶体管开关比为106，迁移率达到61 cm2·V-1·s-1

标签属性：碳纳米管

应用场景：场效应晶体管

关键性能：实现了厘米级超薄黑磷的生长

标签属性：黑磷

应用场景：柔性电子领域

关键性能：可逆弹性、可图案化、抗溶剂，在柔性场效应晶体管器件中实现高度可重复的迁移率，以及在1000圈50%拉伸长度的循环后，仍然保持高迁移率。其循环寿命远高于目前报道的可拉伸柔性半导体

标签属性：可穿戴 柔性电子